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英特尔与美光科技斥资30亿美元建造的新加坡闪存制造厂投产
英特尔(Intel Corp., INTC)和美光科技公司(Micron Technology Inc., MU)共同出资30亿美元兴建的新加坡芯片制造厂于上月底提前开工，生产用于智能手机和平板电脑的NAND型闪存芯片。这凸现出在目前市场需求强劲的条件下增加产能的必要性。
英特尔几位高管接受采访时称，市场对NAND型闪存的需求继续保持强劲，并补充称这家新加坡制造厂的产品将帮助公司满足客户的新增需求。
英特尔旗下NAND Solutions Group总经理Tom Rampone表示，闪存是日益快速增长的市场，两家公司都意识到有必要增加产能。
当被问及提前开工投产是否与日本地震后预计今年NAND闪存将出现短缺有关，英特尔NAND制造和运营部门主管David Baglee表示，对日本发生的灾难感到遗憾，但这确实并未影响公司的增产计划。
英特尔和美光科技发表联合公告称，这家名为IM Flash Singapore的新厂预计将招聘约1,200名工人，目前在加紧生产采用25纳米制程技术的芯片。这家工厂18%的产品将交付英特尔，而余下的部分将交付给美光科技。
英特尔预计年底前将在新加坡扩大采用20纳米制程技术芯片的产量。
美光科技董事长兼首席执行长Steve Appleton在公告中称，IM Flash Singapore的开工标志着双方合作的又一个重要里程碑，是公司新加坡生产活动的有力补充。
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